12mm Diffused Silicon Pressure Sensor with TO8 Encapsulation and Analog Output for Gas Measurement
Product Details
| Modello n.: | HT12 | Segnale di uscita: | Tipo analogico |
|---|---|---|---|
| Materiale: | Acciaio inossidabile | Tipo di cablaggio: | Quattro fili |
| Mezzo di misurazione: | gas | Grado di protezione IP: | IP65 |
| Intervallo di pressione: | 10kpa~200kpa | Segnale di uscita: | segnale di sistemi MV |
| Consumo energetico: | 1.5 mA | Non linearità: | 0,2%FS |
| Misurare: | 12 mm | Impedenza di ingresso: | 3KΩ~6KΩ |
| Impedenza di output: | 2,5kΩ ~ 6kΩ | Temperatura operativa: | -20°C a 80°C |
| Temperatura di conservazione: | -40~125ºC | Peso: | ~ 12,5 g |
| Evidenziare |
12mm Pressure Sensor,TO8 Encapsulation Silicon Pressure Transmitter,Analog Output Diffused Silicon Sensor |
||
Product Description
- Wide measurement range: 0~10KPa~2MPa
- High reliability and excellent stability
- TO8 encapsulation technology
- Aerospace-grade applications
- Measurement of dry, non-corrosive gas pressures
- Pneumatic control systems
- Biomedical engineering for medical applications
- HVAC (Heating, Ventilation, and Air Conditioning) control
- Aerospace testing for aviation-related purposes
- Power Supply: ≤2mA DC (Typical 1.5mA DC)
- Input Impedance: 3KΩ~6KΩ
- Output Impedance: 2.5KΩ~6KΩ
- Electrical Connection: Gold-plated Kovar pins or 100mm high-temperature wires
| Parameter | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| Linearity | ±0.15 | ±0.3 | %F.S |
| Repeatability | 0.05 | 0.1 | %F.S |
| Hysteresis | 0.05 | 0.1 | %F.S |
| Zero Offset Output | 0±1 | 0±2 | mV |
| Full Scale Output (≤20KPa) | 50±10 | 50±30 | mV |
| Full Scale Output (≥35kPa) | 100±10 | 100±30 | mV |
| Zero Offset Temp. Drift (≤20KPa) | ±1 | ±2 | %F.S |
| Zero Offset Temp. Drift (≥35kPa) | ±0.5 | ±1 | %F.S |
| Full Scale Temp. Drift (≤20KPa) | ±1 | ±2 | %F.S |
| Full Scale Temp. Drift (≥35kPa) | ±0.5 | ±1 | %F.S |
| Compensated Temp. (≤20KPa) | 0~50 | - | ºC |
| Compensated Temp. (≥35kPa) | 0~70 | - | ºC |
| Operating Temperature | -20~80 | - | ºC |
| Storage Temperature | -40~125 | - | ºC |
| Allowable Overload | Take the smaller value between 3 times the full scale or 4MPa | ||
| Burst Pressure | 5X the full scale | ||
| Long-term Stability | 0.2 % F.S/Year | ||
| Diaphragm Material | 316L | ||
| Insulation Resistance | ≥200MΩ 100VDC | ||
| Vibration | No change under conditions of 10gRMS, 20Hz to 2000Hz | ||
| Shock | 100g,11ms | ||
| Response Time | ≤1ms | ||
| Weight | ~12.5g | ||
- Ensure proper fit between core size and transmitter housing for required airtightness
- Align housing vertically and apply even pressure during assembly to avoid damaging compensation plate
- Provide special instructions if measured medium is incompatible with 316L diaphragm material
- Avoid pressing sensor diaphragm with hands or sharp objects to prevent damage
- Keep gauge pressure port open to atmosphere and prevent entry of water or corrosive media
- Refer to actual core label for pin lead configuration
Product Highlights
Wafer sensore di pressione in silicio diffuso HT12 da 12 mm. Elevata stabilità, non linearità dello 0,2% FS, incapsulamento TO8. Grado di protezione IP65, misura la pressione del gas da 10kPa~2MPa. Opzioni personalizzate disponibili per OEM/ODM.
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