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Sensore HT Sensore di pressione di silicio diffuso HT-IQT-B per sensori di misurazione ad alta temperatura

Brand Name: HT SENSOR
Model Number: HT-IQT-B
Place of Origin: Baoji, Cina.
Certification: ISO9001
Minimum Order Quantity: 1
Price: negotiable
Supply Ability: 5000 PCS/Mese

Product Details


Modello n.: HT-IQT-B Allineare: 0-35kpa~3.5Mpa
Tipo di cablaggio: Pini Kovar placcate d'oro Mezzo di misurazione: AIR e Acqua e olio liquidi
Filo: 50.4 mm Produzione: segnale di sistemi MV
Energia: 1.5 mA Tipo: Sensore di pressione di silicio diffuso
Tipo di segnale di uscita: Analogico Materiale: 316L Acciaio inossidabile
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Sensore di pressione di silicio diffuso

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Sensore di pressione al silicio ad alta temperatura

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Sensore di pressione al silicio HT-IQT-B

Product Description

Sensore HT HT-IQT-B Sensore di pressione al silicio diffuso per misurazioni ad alta temperatura

HT-IQT-B Piezoresistivo Sensore di pressione al silicio

Introduzione del sensore di pressione al silicio diffuso: 

 

Il sensore di pressione al silicio HT - IQT - B è un tipo di diaframma integrato. La pressione viene trasferita al chip sensibile attraverso un diaframma in acciaio inossidabile e olio siliconico sigillato. Il chip del sensore converte la pressione in un segnale elettrico in millivolt rilevabile. Pertanto, possiamo osservare intuitivamente il valore di pressione del mezzo misurato. Questo prodotto adotta una struttura a diaframma piatto, con dissipatore di calore ad alta temperatura, l'effetto di misurazione del mezzo ad alta temperatura è buono. Il diaframma piatto nudo è facile da pulire e ha un buon effetto sulla misurazione dei mezzi viscosi. Applicare a industrie alimentari, sanitarie e altre.

 

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Prestazioni elettriche del sensore di pressione al silicio diffuso:
  1. Alimentazione:        ≤2mA CC  (0.4-1.5mA CC).
  2. Impedenza di ingresso  :     2.5KΩ~6KΩ.
  3. Impedenza di uscita:     2.5KΩ~6KΩ.
  4. Connessione elettrica: Pin Kovar placcati in oro o fili ad alta temperatura da 100 mm.
Parametri di prestazione del sensore di pressione al silicio diffuso:
Campo di misura Manometro (G) 35KPa,100KPa,200KPa,350KPa,1000KPa,2000Kpa
Assoluto (A) 100KPaA,200KPaA,350KPaA,700KPaA,1000KPaA,2000KPaA
Sigillato (S) 3500KPaS
  Tip Max Unità
Non linearità   ±0.15 ±0.3 %F.S
Ripetibilità  0.05 0.1 %F.S
Isteresi    0.05 0.1 %F.S
Uscita offset zero   0±1 0±2 mV
Uscita fondo scala   ≤20KPa 50±10 50±30 mV
≥35kPa 100±10 100±30 mV
Deriva di temperatura offset zero ≤20KPa ±1 ±2 %F.S
≥35kPa ±0.5 ±1 %F.S
Deriva di temperatura a fondo scala ≤20KPa ±1 ±2 %F.S
≥35kPa ±0.5 ±1 %F.S
Temperatura compensata ≤20KPa 0~50 ºC
≥35kPa 0~70 ºC
Temperatura di esercizio   -20~80 ºC
Temperatura di stoccaggio  -40~125 ºC
Pressione di scoppio 5X la scala completa  
Stabilità a lungo termine 0.2 %   F.S/Anno
Materiale del diaframma 316L  
Resistenza di isolamento ≥200MΩ 100VDC  
Urti 100g,11ms  
Tempo di risposta ≤1ms  
Guarnizione O-ring Gomma nitrilica o gomma fluorurata  
Mezzo di riempimento Olio siliconico  
Peso ~220g  
I parametri sono testati alle seguenti condizioni:  1.5mA @25°C
 
 
Costruzione del contorno
Dimensione
 
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Collegamento elettrico e compensazione
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Esempi di selezione
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Suggerimenti per l'ordine
1. Prestare attenzione all'adattamento tra le dimensioni del nucleo e l'alloggiamento del trasmettitore durante il montaggio per ottenere la tenuta richiesta.
2. Durante il montaggio dell'alloggiamento, assicurarsi che sia allineato verticalmente e applicare una pressione uniforme per evitare inceppamenti o danni alla piastra di compensazione.
3. Se il mezzo misurato non è compatibile con il diaframma del nucleo e il materiale dell'alloggiamento (316L), è necessario fornire istruzioni speciali al momento  dell'ordine.
4. Evitare di premere il diaframma del sensore con le mani o oggetti appuntiti per evitare danni al nucleo a causa della deformazione o della perforazione del diaframma.
5. Mantenere la porta di pressione del nucleo della pressione manometrica aperta all'atmosfera e impedire l'ingresso di acqua, vapore acqueo o mezzi corrosivi nella camera a pressione negativa del nucleo.
6. In caso di modifiche ai terminali dei pin, fare riferimento all'etichetta sul nucleo effettivo.

 
azienda
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Product Highlights

Sensore HT HT-IQT-B Sensore di pressione al silicio diffuso per misurazioni ad alta temperatura HT-IQT-B Piezoresistivo Sensore di pressione al silicio Introduzione del sensore di pressione al silicio diffuso: Il sensore di pressione al silicio HT - IQT - B è un tipo di diaframma integrato. La ...

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