Sensore HT Sensore di pressione di silicio diffuso HT-IQT-B per sensori di misurazione ad alta temperatura
Dettagli del prodotto
| Modello n.: | HT-IQT-B | Allineare: | 0-35kpa~3.5Mpa |
|---|---|---|---|
| Tipo di cablaggio: | Pini Kovar placcate d'oro | Mezzo di misurazione: | AIR e Acqua e olio liquidi |
| Filo: | 50.4 mm | Produzione: | segnale di sistemi MV |
| Energia: | 1.5 mA | Tipo: | Sensore di pressione di silicio diffuso |
| Tipo di segnale di uscita: | Analogico | Materiale: | 316L Acciaio inossidabile |
| Evidenziare |
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Descrizione del prodotto
Sensore HT HT-IQT-B Sensore di pressione al silicio diffuso per misurazioni ad alta temperatura
HT-IQT-B Piezoresistivo Sensore di pressione al silicio
Introduzione del sensore di pressione al silicio diffuso:
Il sensore di pressione al silicio HT - IQT - B è un tipo di diaframma integrato. La pressione viene trasferita al chip sensibile attraverso un diaframma in acciaio inossidabile e olio siliconico sigillato. Il chip del sensore converte la pressione in un segnale elettrico in millivolt rilevabile. Pertanto, possiamo osservare intuitivamente il valore di pressione del mezzo misurato. Questo prodotto adotta una struttura a diaframma piatto, con dissipatore di calore ad alta temperatura, l'effetto di misurazione del mezzo ad alta temperatura è buono. Il diaframma piatto nudo è facile da pulire e ha un buon effetto sulla misurazione dei mezzi viscosi. Applicare a industrie alimentari, sanitarie e altre.
Prestazioni elettriche del sensore di pressione al silicio diffuso:
- Alimentazione: ≤2mA CC (0.4-1.5mA CC).
- Impedenza di ingresso : 2.5KΩ~6KΩ.
- Impedenza di uscita: 2.5KΩ~6KΩ.
- Connessione elettrica: Pin Kovar placcati in oro o fili ad alta temperatura da 100 mm.
| Parametri di prestazione del sensore di pressione al silicio diffuso: | |||||
| Campo di misura | Manometro (G) | 35KPa,100KPa,200KPa,350KPa,1000KPa,2000Kpa | |||
| Assoluto (A) | 100KPaA,200KPaA,350KPaA,700KPaA,1000KPaA,2000KPaA | ||||
| Sigillato (S) | 3500KPaS | ||||
| Tip | Max | Unità | |||
| Non linearità | ±0.15 | ±0.3 | %F.S | ||
| Ripetibilità | 0.05 | 0.1 | %F.S | ||
| Isteresi | 0.05 | 0.1 | %F.S | ||
| Uscita offset zero | 0±1 | 0±2 | mV | ||
| Uscita fondo scala | ≤20KPa | 50±10 | 50±30 | mV | |
| ≥35kPa | 100±10 | 100±30 | mV | ||
| Deriva di temperatura offset zero | ≤20KPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
| ≥35kPa | ±0.5 | ±1 | %F.S | ||
| Deriva di temperatura a fondo scala | ≤20KPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
| ≥35kPa | ±0.5 | ±1 | %F.S | ||
| Temperatura compensata | ≤20KPa | 0~50 | ºC | ||
| ≥35kPa | 0~70 | ºC | |||
| Temperatura di esercizio | -20~80 | ºC | |||
| Temperatura di stoccaggio | -40~125 | ºC | |||
| Pressione di scoppio | 5X la scala completa | ||||
| Stabilità a lungo termine | 0.2 % | F.S/Anno | |||
| Materiale del diaframma | 316L | ||||
| Resistenza di isolamento | ≥200MΩ 100VDC | ||||
| Urti | 100g,11ms | ||||
| Tempo di risposta | ≤1ms | ||||
| Guarnizione O-ring | Gomma nitrilica o gomma fluorurata | ||||
| Mezzo di riempimento | Olio siliconico | ||||
| Peso | ~220g | ||||
| I parametri sono testati alle seguenti condizioni: 1.5mA @25°C | |||||
| Costruzione del contorno | |
| Dimensione |
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| Collegamento elettrico e compensazione |
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| Esempi di selezione |
| Suggerimenti per l'ordine |
2. Durante il montaggio dell'alloggiamento, assicurarsi che sia allineato verticalmente e applicare una pressione uniforme per evitare inceppamenti o danni alla piastra di compensazione.
3. Se il mezzo misurato non è compatibile con il diaframma del nucleo e il materiale dell'alloggiamento (316L), è necessario fornire istruzioni speciali al momento dell'ordine.
4. Evitare di premere il diaframma del sensore con le mani o oggetti appuntiti per evitare danni al nucleo a causa della deformazione o della perforazione del diaframma.
5. Mantenere la porta di pressione del nucleo della pressione manometrica aperta all'atmosfera e impedire l'ingresso di acqua, vapore acqueo o mezzi corrosivi nella camera a pressione negativa del nucleo.
6. In caso di modifiche ai terminali dei pin, fare riferimento all'etichetta sul nucleo effettivo.
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Punti salienti del prodotto
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