Sensore di pressione al silicio a diffusione HT19F, microsensore di pressione per nucleo sensore industriale
Product Details
| Modello n.: | HT19F | Tipo di cablaggio: | Pini Kovar a quattro fili o placcati d'oro |
|---|---|---|---|
| Mezzo di misurazione: | Gas e liquidi | Energia: | 1.5 mA |
| Specifica: | 19 mm | Origine: | Cina |
| Codice Hs: | 9026209090 | Tipo: | Sensore di pressione al silicio piezoresistivo |
| Materiale: | Acciaio inossidabile | Personalizzazione: | Disponibile | Richiesta personalizzata |
| Evidenziare |
HT19F Sensore di pressione di silicio a diffusione,Sensore di micro pressione 19 mm,Sensore di micro pressione per 19 mm industriali |
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Product Description
Sensore di pressione al silicio a basso costo Baoji Hengtong HT19F per uso industriale
Sensore di pressione piezoresistivo al silicio da 19 mm
Introduzione del sensore di pressione al silicio:
HT19F funziona come un sensore di pressione piezoresistivo al silicio, con un nucleo composto da un elemento in silicio diffuso altamente stabile. Misura efficacementela pressione di liquidi e gas trasmettendo la pressione del mezzo testatoal diaframma in silicio attraverso un diaframma di isolamento e olio di silicone.La versatilità del sensore trova ampio impiego in compressori d'aria e sistemi di refrigerazioneCaratteristiche del prodotto
del sensore di pressione al silicioGauge (G)10KPa, 20KPa, 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa, 2000Kpa
materiali come titanio e Hastelloy per il diaframma 2. Impiego di circuiti a film spesso per la compensazione della temperatura e la correzione del punto zero 3. Outstanding affidabilità, ripetibilità e stabilità
Applicazionidel sensore di pressione al silicio
:Gauge (G)10KPa, 20KPa, 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa, 2000Kpa
3. Utilizzato nelle industrie marittime e aeronautiche
4. Adatto per sistemi di controllo idraulici e pneumatici50±30
Prestazioni elettriche
del sensore di pressione al silicio
:
1. Alimentazione: ≤2mA CC (tipico 1,5mA CC)Gauge (G)10KPa, 20KPa, 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa, 2000Kpa
4. Connessione elettrica: pin Kovar placcati in oro o fili ad alta temperatura da 100 mm.
Parametri di prestazione
del sensore di pressione al silicio
:
| GammaGauge (G)10KPa, 20KPa, 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa, 2000Kpa | |||||
| Assoluto (A) | 100KPaA, 200KPaA, 350KPaA, 700KPaA, 1000KPaA, 2000KPaA | Sigillato (S) | |||
| 3500KPaS, 7MPaS, 10MPaS, 20MPaS.40MPaS.60MPaS.100MPaS | Tip | ||||
| Max | Unità | ||||
| Non linearità | ±0,15 | ||||
| ±0,350±30 | Ripetibilità | 0,05 | 0~50 | ||
| %F.S | Uscita zero | 0~50 | |||
| 0,1%F.S | Uscita zero | 0~50 | |||
| 0±250±30 | Uscita span | ±1 | |||
| 50±1050±30 | ≥35kPa | ≥35kPa | 100±10 | ±1 | |
| Temperatura di esercizio | Errore di temperatura-Zero | ≤20KPa | ±1 | ||
| ±2 | ≥35kPa | ≤20KPa | ±0,5 | 0~50 | |
| Temperatura di esercizio | Temperatura compensata | ≤20KPa | 0~50 | ||
| ±2 | ≥35kPa | ≤20KPa | ±0,5 | 0~50 | |
| Temperatura di esercizio | Temperatura compensata | ≤20KPa | 0~50 | ||
| ºC | ≥35kPa | 0~70 | Pressione di scoppio | ||
| Temperatura di esercizio | -20~80 | Pressione di scoppio | |||
| Temperatura di stoccaggio | -40~125 | Pressione di scoppio | |||
| Sovraccarico consentito | Prendere il valore più piccolo tra 3 volte la scala completa o 120MPa | Pressione di scoppio | |||
| 5X la scala completa | Stabilità a lungo termine | ||||
| 0,2 % | F.S/Anno | ||||
| Materiale del diaframma | 316L | Resistenza di isolamento | |||
| ≥200MΩ 100VDC | Vibrazione | ||||
| Nessuna variazione in condizioni di 10gRMS, da 20Hz a 2000Hz | Shock | ||||
| 100g,11ms | Tempo di risposta | ||||
| ≤1ms | Guarnizione O-ring | ||||
| Anello in nitrile o anello in fluoro | Mezzo di riempimento | ||||
| Olio di silicone | Peso | ||||
| circa 28 g | I parametri sono testati nelle seguenti condizioni: 1,5 mA @ 25°C | ||||
| Costruzione del contorno | <3.5MPaS | ||||
| ≥3.5MPaS | |||||
| <40MPaS | |
| ≥40MPaS | ![]() |
| Connessione elettrica e compensazione Esempi di selezione |
![]() |
| Suggerimenti per l'ordine | ![]() |
| 1. Prestare attenzione all'adattamento tra le dimensioni del nucleo e l'alloggiamento del trasmettitore durante il montaggio per ottenere la r |
|
| chiusa ermeticità richiesta |

| 2. Durante il montaggio dell'alloggiamento, assicurarsi che sia allineato verticalmente e applicare una pressione uniforme per evitare inceppamenti o danni alla piastra di compensazione. |
5. Mantenere la porta di pressione del nucleo della pressione manometrica aperta all'atmosfera e impedire l'ingresso di acqua, vapore acqueo o mezzi corrosivi nella camera a pressione negativa del nucleo.
6. In caso di modifiche ai pin lead, fare riferimento all'etichetta sul nucleo effettivo.
Prodotti
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Q5:Contattaci
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